今天在UBS全球技术大会上宣布，Intel宣布基于3D XPoint存储技术的DIMM内存条将在2018下半年推出。

3D XPoint内存模组原型

Optane相较普通的MLC SSD有着千倍的速度和耐用性提升（目前实际10倍左右），号称是25年来存储技术的革命性突破。

3D XPoint内存条的顺利推出取决于一些前提条件，包括3D XPoint存储芯片能够达到现行DRAM的低延迟和超高耐用性/速度。目前基于PCIe/NVMe的Optane尽管作为SSD很优秀，但比起内存的瞬时传输速率和延迟，差距仍比较大，耐用性同理。

第二点是3D XPoint的产能问题。昨天，Intel和美光落成了犹他IM厂60号建筑，目的就是增产3D XPoint存储芯片。

最后一点就是配套支持了，毕竟JEDEC固态存储协会关于NVDIMM-P类型的标准尚未敲定，AT认为兼容DDR4不可能，但TMHW则说早期兼容DDR4是必然的，只是接口略有区别。

值得一提的是，3D XPoint存储芯片将兼顾NAND的非易失性、高密度和DRAM的低延迟、超高速率，规划中，单块模组的容量是512GB，双路服务器可组6TB。