2017年9月19日，“英特尔精尖制造日”活动在北京举行，活动上，Intel全球首次展示了用于Cannon Lake处理器的10nm晶圆。Intel强调，其拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度，领先其他“10纳米”整整一代，即3年。

英特尔公司执行副总裁Stacy J. Smith指出摩尔定律不会失效，并将继续发挥作用。作为摩尔定律的实践，PC处理器每晶体管的加权平均成本(对标90纳米相对刻度)到22纳米、14纳米、10纳米稳步降低，将持续带来效能、利润的提升。

与此同时，英特尔业内领先地位没有动摇，在14纳米制程工艺仍旧领先竞争对手3年，并且在制造能力方面也让对手望尘莫及。据Stacy Smith介绍，英特尔技术与制造集团员工数量达到了3万人，制造(洁净)厂房面积在400万平方英尺以上，每秒生产晶体管数量100亿以上。值得一提的是，英特尔进入中国的32年中，于中国共成长，深入市场布局半导体精尖制造，目前中国员工人数超过7000人，子2004年至今协议总投资130亿美元以上，在大连设有晶圆厂，成都设有封装测试工厂。在本次“英特尔精尖制造日”活动上还宣布英特尔将拓展晶圆代工，对准不断增长的高端晶圆代工市场。

作为“英特尔精尖制造日”活动的一波小高潮，Stacy Smith除了带来用于数据中心的英特尔64层3D NAND固态硬盘外，还有“one more thing”——全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆。选择在中国进行“Cannon Lake”10纳米晶圆首秀，足以表达英特尔对于中国市场的重视。

对于英特尔10纳米制程工艺，英特尔指出，通过应用超微缩技术，较传统工艺显著提升了微缩水平，进一步降低每个晶体管的成本，提高性能功耗比。最终英特尔10纳米制程工艺在鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度、逻辑晶体管密度等每项指标均领先于对手的10纳米技术。

据悉，“Cannon Lake”10纳米晶圆拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度，领先其他“10纳米”整整一代。英特尔10纳米制程技术计划于2017年下半年开始生产，联系此前8月正式发布的第八代酷睿处理器，用户有望于今年底或者明年初体验到采用Cannon Lake架构、10纳米制程处理器的产品。